Главная
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2021, № 5-6, с. 3-10.
DOI: 10.15222/TKEA2021.5-6.03
УДК 544.076.327/.328:621.382.323:577.15+543.07.31
Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії із застосуванням ІСПТ. Частина 2: Практична реалізація
(українською мовою)
Павлюченко О. С., Кукла О. Л.

Україна, м. Київ, Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України.

Наведено другу частину роботи, де представлено варіант реалізації вторинного вимірювального перетворювача (ВВП) для іонометричних датчиків на основі іон-селективних польових транзисторів (ІСПТ). Особливістю запропонованого ВВП є можливість програмного керування напругою зміщення ІСПТ, завдяки чому ІСПТ можна використовувати як датчик температури. Послідовне переключення між іонометричним й термометричним режимами роботи датчика з подальшою алгоритмічною обробкою отриманих даних мікропроцесором, який входить до складу ВВП, дозволяє компенсувати температурну залежність електродного потенціалу ІСПТ. Наведено принципові електричні схеми основних вузлів ВВП та експериментальні оцінки термометричної характеристики ІСПТ-датчика й ефективності термокомпенсації.

Ключові слова: іон-селективний польовий транзистор, іонометрія, компенсація температурної залежності, термодатчик, вимірювальний перетворювач.

Дата подання рукопису 29.03 2021
Використані джерела
  1. Павлюченко О. С., Кукла О. Л. Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії з застосуванням ІСПТ. Частина 1: Теорія та моделювання. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, №3–4, 2021, с. 36–44. https://doi.org/10.15222/TKEA2021.3-4.36
  2. http://www.spectrum-soft.com/ (Дата обращения 10.03.2021)
  3. Павлюченко А. С., Кукла А. Л., Голтвянский Ю. В. Применение ионоселективных полевых транзисторов для ферментного анализа токсичных примесей в водных растворах. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010, № 3, с. 35–46.
  4. Кукла О. Л., Павлюченко О. С., Голтвянський Ю. В. та ін. Сенсорні масиви на основі диференційних ІСПТ-елементів для моніторингу токсичних речовин природного та штучного походження. Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, № 2, 2008, с. 58–68.
  5. Jung-Lung Chiang, Jung-Chuan Chou, Ying-Chung Chen. Study of the pH-ISFET and EnFET for Biosensor Applications. Journal of Medical and Biological Engineering, 2001, vol. 21, iss. 3, p. 135–146.
  6. Bousse L., Hafeman D., Tran N. Time-dependence of the che¬mical response of silicon nitride surfaces. Sensors and Actuators B, 1990, vol. 1, iss. 1–6, p. 361–367. https://doi.org/10.1016/0925-4005(90)80231-N
  7. Gaddour A., Dghais W., Hamdi B., Ben Ali M. Temperature compensation circuit for ISFET sensor. Journal of Low Power Electronics and Applications, 2020, vol. 10, iss. 1, 2. https://doi.org/10.3390/jlpea10010002
  8. Кузьмичев В. Е. Законы и формулы физики. Киев, Наукова думка, 1989, 864 с.
  9. Кукла А. Л., Лозовой С. В., Павлюченко А. С., Нагибин С. Н. Исследование метрологических параметров датчиков на основе рН-чувствительных полевых транзисторов. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, №2–3, 2013, с. 61–68.
  10. Lozovoy S., Kukla A., Pavluchenko A. Investigation of metrological performance of the ISFET-based pH sensors. Sensors & Transducers (MADICA '12), vol. 27, special iss., 2014, p. 225–232.