[1]
Н. Б. Горев, И. Ф. Коджеспирова, і Е. Н. Привалов, «Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs», TKEA, вип. 6, с. 3-5, Груд 2007.