Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники

  • P. B. Конакова Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Е. Ю. Колядина Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Л. А. Матвеева Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • П. Л. Нелюба Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • B. B. Шинкаренко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: фуллереновые пленки, металлизация, микроволновый отжиг

Анотація

Исследованы два вида металлизации (Au, Ti) к фуллерен-содержащему материалу. Изучена эффективность микроволнового отжига полимер-фуллеренового слоя с обеими металлизациями, и показано, что СВЧ-обработка снижает суммарное сопротивление структуры в обоих случаях. Показана перспективность использования титановой металлизации по сравнению с золотой, проанализированы механизмы, обуславливающие качество титановой металлизации.

Опубліковано
2010-12-26
Як цитувати
КонаковаP. B., Колядина, Е. Ю., Матвеева, Л. А., Нелюба, П. Л., & ШинкаренкоB. B. (2010). Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5–6), 40-42. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.40
Номер
№ 5–6 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2010 Конакова Р. В., Колядина Е. Ю., Матвеева Л. А, Нелюба П. Л., Шинкаренко В. В.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.