УДК 621.383.415

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо-
и обратновключенными переходами

Ёдгорова Д. М.

Ключевые слова: фотодиодная структура, эффект усиления, фототок, область объемного заряда.

На основе экспериментальных данных за­ви­си­мос­ти вы­ход­но­го фо­то­то­ка от ин­тен­сив­нос­ти воз­буж­да­ю­ще­го све­то­во­го по­то­ка в ши­ро­ком ин­тер­ва­ле ра­бо­чих на­пря­же­ний про­из­ве­де­на оцен­ка ко­эф­фи­ци­ен­та фо­то­элек­три­чес­ко­го уси­ле­ния по то­ку двух­барь­ер­ной фо­то­ди­од­ной Ag–NGaAs–nGaInAs–Ag-струк­ту­ры. Уве­ли­че­ние ко­эф­фи­ци­ен­та уси­ле­ния с рос­том на­пря­же­ния объяс­не­но фо­то­ге­не­ра­ци­он­ны­ми про­цес­са­ми в рас­ши­ря­е­мом слое объем­но­го за­ря­да. Та­кие струк­ту­ры об­ла­да­ют свой­ством уси­ли­те­ля и пред­став­ля­ют ин­те­рес для соз­да­ния ус­тройств при­е­ма оп­ти­чес­ких сиг­на­лов.

Республика Узбекистан, г. Ташкент, НПО «Физика–Солнце».

***

Effect of photocurrent amplification in the photodiode structure with both directly and back switched junctions

Yodgorova D. M.

On the basis of experimental data of dependence of the output photocurrent on the exciting light flow intensity at wide operating voltage range there has been made an estimation of current amplification factor of two-barrier photodiode Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-structure. The increase in amplification factor with the voltage increase is explained by photogeneration processes in dilated space charge layer. Such structures, having amplifying property, are of interest for creating of optical signals reception devices.