УДК 621.315.592

Исследование влияния электронного облучения
на кремниевые тензорезисторы

Дружинин А. А., Марьямова И. И., Кутраков А. П.,
Лях-Кагуй Н. С., Маслюк В. Т., Мегела И. Г.

Ключевые слова: кремний, тензорезистор, электронное облучение.

Изучено влияние облучения электронами высоких энергий на характеристики по­лу­про­вод­ни­ко­вых тензорезисторов на основе нитевидных кристаллов кремния р-типа, легированных бором. Об­лу­че­ние тензорезисторов проводилось при комнатной температуре электронами с энер­ги­ей 4,2—14 МэВ дозами 5·10¹⁶—1·10¹⁸эл/см². Измерения основных параметров облученных тен­зо­ре­зис­то­ров — сопротивления, его температурной зависимости и зависимости из­ме­нения сопротивления от деформации — проводились в различных температурных диа­па­зо­нах: –196…+100°C и –269…+20°C. Определены значения энергии и дозы электронов, при которых обеспечивается радиационная стойкость тензорезисторов.

Украина, г. Львов, Национальный университет «Львовская политехника»; г. Ужгород, Институт электронной физики НАН Украины.

***

Study of silicon strain gauges under electron irradiation

Druzhinin A. A., Maryamova I. I., Kutrakov A. P., Liakh-Kaguj N. S., Masluk V. T., Mehela I. G.

The characteristics of semiconductor strain gauges based on boron doped р-type silicon whiskers under high energy electron irradiation were studied. Strain gauges were irradiated at room temperature by electrons with energies 4,2—14 MeV and different doses 5·10¹⁶—1·10¹⁸ el/cm². The main parameters of irradiated strain gauges: resistance, its temperature dependence and resistance change vs strain at –196…+100°C and –269…+20°C temperature ranges were measured. There are determined the values of electron irradiation energy and dose at which the radiation stability of strain gauges could be ensured.