УДК 621.382

Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур

Попов В. М., Клименко А. С., Поканевич А. П., Шустов Ю. М.

Ключевые слова: МДП-структуры, ртутный зонд, электрически активные дефекты, вольт-фарадные характеристики, механические напряжения.

Предложена конструкция ртутного микрозонда для измерения электрофизических ха­рак­те­рис­тик полупроводниковых материалов и ДП-, МДП-структур с локальностью 5—25 мкм. Ис­сле­до­ва­ны локальные электрофизические свойства технологических структур Si–SiO₂ со сверх­тон­ким слоем оксида в области электрически активных дефектов на поверхности кремния. По­ка­за­но влияние механических напряжений вблизи края электродов МДП-структур на ло­каль­ные зна­че­ния фиксированного заряда в оксиде.

Украина, г. Киев, НИИ микроприборов.

***

The mercury microprobe for investigation of local electrophysical properties of semiconductor structures

Popov V. M., Klimenko A. S., Pokanevich A. P., Shustov Y. M.

The construction of mercury microprobe has been proposed for measurement of electrophysical characteristics of semiconductor materials and IS(MIS) structures with 5—25 micron locality. Local electrophysical properties of technological Si–SiO₂ structures with thin oxides in the region of electrically active defects on the silicon surface have been investigated. The influence of mechanical stresses near the edge of MIS structure electrodes on the local values of fixed charge in oxide has been shown.