УДК 621.315.592

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных
и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии

Воронин В. А., Губа С. К., Курило И. В.

Ключевые слова: хлорид-гидридная эпитаксия, биполярный транзистор, полевой транзистор с барьером Шоттки, сое­ди­не­ния III-V, прямоточный горизонтальный реактор.

Описываются результаты исследований технологии получения изотермическим низ­ко­тем­пе­ра­тур­ным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур на базе GaAs, легированного Sn и Bi. Для получения планарных слоев структур биполярных транзисторов на базе GaAs типа n⁺–n–n⁰–p и планарных слоев структур типа i–n⁰–n–n⁺ полевых транзисторов с барьером Шоттки решена комплексная технологическая задача. Достигнута неоднородность по толщине менее 3% и уровню легирования менее 5%. Это позволило улучшить эксплуатационные характеристики ПТШ.

Украина, г. Львов, НУ «Львовская политехника».

***

Producing of pover GaAs structures of bipolar and field-effect tran¬¬sistor by CVD-method

Voronin V. A., Guba S. K., Kurilo I. V.

Investigation results in technology of doping Sn and Bi of perfect GaAs structures preparation by the lowe-temperature isothermal chloride epitaxy method are presented. A complex problem has been solved to obtain planar layers of the n⁺–n–n⁰–p type bipolar transistors and planar layers of the i–n⁰–n–n⁺ type Schottky field-effect transistors. Heterogenetty in the thickness less than 3% and doping level less than 5% has been achieved. This allowed to get the discrete Schottky field-effect transistors with improved operation characteristics.