УДК [535.21:537.312.7]:621.386.82

Фотоэлектростимулированная пассивация
спектрометрических Cd_1–xZn_xTe-детекторов.

Загоруйко Ю. А., Христьян В. А., Федоренко О. А.

Ключевые слова: фотоэлектростимулированная пассивация поверхности, токи утечки, Cd_1–xZn_xTe-детектор.

Разработан новый физический метод пассивации Cd_1–xZn_xTe-детекторов — фо­то­эле­ктро­сти­му­ли­ро­ван­ная пассивация, при которой окисление образца с образованием на его поверхности вы­со­ко­ом­но­го оксидного слоя происходит при одновременном воздействии интенсивного све­то­во­го об­лу­че­ния и электрического поля. Показано, что метод технологичен и обеспечивает получение тол­стых оксидных пленок, что существенно увеличивает поверхностное электросопротивление образцов Cd_1–xZn_xTe и уменьшает в них токи утечки.

Украина, г. Харьков, Институт монокристаллов НТК «Институт монокристаллов» НАН Украины.

***

Photoelectrostimulated passivation
of spectrometric Cd_1–xZn_xTe-detectors

Zagoruiko Yu. A., Khristyan V. A., Fedorenko O. A.

A new physical method of Cd_1–xZn_xTe-detector’s treatment – photoelectrostimulated passivation is developed. In its frames, oxidation of the sample followed by the formation of high-resistance oxide layer on the surface occurs at simultaneous action of both intense light radiation and electric field. It is shown that the method is easily realized and provides the obtaining of thick high-resistance oxide films, that essentially increases the surface electrical resistance of Cd_1–xZn_xTe-samples and diminishes leakage currents in them.