УДК 621.315.592

Получение активных слоев InP
в составе гетероструктур для диодов Ганна

Вакив Н. М., Круковский С. И., Заячук Д. М.,  Михащук Ю. С, Круковский Р. С.

Ключевые слова: эпитаксиальный слой, жидкофазная эпитаксия, редкоземельный элемент, изовалентный элемент, ле­ги­ро­вание.

Показано, что комплексное легирование расплавов индия редкоземельным (Yb) и изо­ва­лен­т­ным (Al) элементами способствует значительному повышению эффективности очистки от фо­но­вых примесей эпитаксиальных слоев InP, полученных жидкофазной эпитаксией, что при­во­дит к рос­ту их структурного совершенства. При оптимальном количестве Yb и Al в расплаве кон­цен­тра­ция электронов в слоях InP уменьшается, а их подвижность возрастает. Разработанная технология мо­жет быть использована для изготовления структур для диодов Ганна, фотоприемников и других оп­то­элек­трон­ных приборов.

Украина, г. Львов, НПП «Карат»; НУ «Львовская политехника».

***

Obtaining of high-quality InP active layers
in geterostructure’s composition for Gunn diodes

Vakiv M. M., Krukovskiy S. I., Zayachuk D. M., Mykhashchuk Iu. S., Krukovskiy R. S.

It is shown that for epitaxial InP layers obtained by liquid-phase epitaxy complex dopping of indium melts by optimal concentrations of rare-earth Yb and isovalent element Al promotes useful increase of cleaning effect from background impurities and leads to growth of its structural perfection. The concentration of electrons in InP layers decreases and their mobility increases on optimal amounts of Yb and Al in the melt. This technology may be used in producing structures for Gunn diodes, photoreceivers and other optoelectronic devices.