УДК 621.382

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка
в тонкопленочных эпи­так­си­аль­ных структурах GaAs

Горев Н. Б., Коджеспирова И. Ф., Привалов Е. Н.

Ключевые слова: арсенид галлия, эпитаксиальная структура, барьер Шоттки, вольт-фарадная характеристика, глубокие центры.

Предложен простой метод определения концентрации незаполненных глубоких центров вбли­зи границы «пленка — подложка». Метод основан на определении увеличения ширины про­во­дя­ще­го канала под действием примесного освещения по сдвигу точки перегиба вольт-фа­рад­ной характеристики. Достоверность метода подтверждена измерениями концентрации не­за­пол­нен­ных глубоких центров в арсенид-галлиевых пластинах с буферным слоем и без него.

Украина, г. Днепропетровск, Институт технической механики НАНУ и НКАУ.

***

Deep trap diagnostics at the film — substrate interface
in GaAs thin-film epitaxial structures

Gorev N. B., Kodzhespirova I. F., Privalov E. N.

A simple method for the determination of the concentration of vacant deep traps in the vicinity of the «film — substrate» interface is proposed. The method is based on determining the increase in the width of the conducting channel under extrinsic illumination from the shift of the inflection point in the capacitance-voltage curve. The reliability of the method is confirmed by measurement of the concentration of vacant deep traps in GaAs wafers with and without a buffer layer.