УДК 538.91

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах

Болтовец Н. С., Иванов В. Н., Ковтонюк В. М., Раевская Н. С., Беляев А. Е., Бобыль А. В., Конакова Р. В., Кудрик Я. Я., Миленин В. В., Но­виц­кий С. В., Шеремет В. Н.

Ключевые слова: катодный контакт, фосфид индия, диод Ганна, омический контакт.

Исследованы межфазные взаимодействия в контактах Ge–Au, Ge–TiB_x и Au–TiB_x–Au к n–n⁺–n⁺⁺-InP до и после быстрой термической обработки и выходные параметры InP-диодов Ганна (ДГ) с контактной металлизацией Au–TiB_x–Au–Ge в диапазоне температуры –40...+60°С. Показано, что омический контакт к слою InP формируется вследствие диффузии атомов Ge и Au вглубь слоя, а выходные параметры ДГ с такими катодными контактами соответствуют параметрам ДГ, полученных по более сложной технологии.

Украина, г. Киев, НИИ «Орион»; ИФП НАНУ; Россия, г. С.-Петербург, ФТИ РАН.

***

InP Gunn diodes with a cathode contact injecting hot electrons.
Part 1. Interactions between phases in the cathode contacts

Boltovets N. S., Ivanov V. N., Kovtonyuk V. M., Rayevskaya N. S., Belyaev A. E., Bobyl A. V., Konakova R. V., Kudryk Ya. Ya., Milenin V. V., Novitskiy S. V., Sheremet V. N.

The article presents the research on interactions between phases in the Ge–Au, Ge–TiB_x and Au–TiB_xAu contacts to n–n⁺–n⁺⁺-InP, both before and after rapid thermal annealing, and also the output parameters of Gunn diodes based on the InP structure with Au–TiB_x–Au–Ge contact metallization in the –40...+60 °С temperature range. It is shown that ohmic contacts to InP layer are formed as a result of diffusion of Ge and Au atoms deep inside the layer. The output parameters of Gunn diodes with Au–TiB_x–Au–Ge cathode contacts agree with the data obtained for InP Gunn diodes made with the use of more complicated technology.