УДК 621.316.8.019.3

Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов

Лугин А.Н., Оземша М. М.

Ключевые слова: контакт, тонкопленочный резистор, плотность тока, мощность рассеяния.

Показано, что с целью снижения пиковых значений тока и мощности рассеяния в контакте тон­ко­пле­ноч­ного резистора, а значит, и повышения устойчивости резистора к параметрическим и катастрофическим отказам необходимо увеличить толщину резистивного слоя под контактом и в приграничной к контакту зоне резистивного элемента.

Россия, г. Пенза, ФГУП «НИИЭМП».

***

Reliability growth of thin film resistors contact

Lugin A. N., Ozemsha M. M.

Necessity of resistive layer growth under the contact and in the contact zone of resistive element is shown in order to reduce peak values of current flow and power dissipation in the contact of thin film resistor, thereby to increase the resistor stability to parametric and catastrophic failures.