УДК 539.1.074.5; 621.382; 621.039.7

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов

Перевертайло В. Л.

Ключевые слова: МОП-дозиметр, технология р-, n-МОП-транзистора, пороговое напряжение, толстый слой оксида, радиационная чувствительность, пассивный режим, дозовая зависимость.

Определены требования к конструкции и технологии изготовления р-канальных и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения. Разработана технология создания радиационно-чувствительных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида в р-ка­на­ль­ном и в n-канальном варианте.

Украина, г. Киев, НИИ микроприборов НТК «Институт монокристаллов» НАНУ.

***

Sensors of absorbed dose of ionizing radiation based on mosfet

Perevertaylo V. L.

The requirements to technology and design of p-channel and n-channel MOS transistors with a thick oxide layer designed for use in the capacity of integral dosimeters of absorbed dose of ionizing radiation are defined. The technology of radiation-sensitive MOS transistors with a thick oxide in the p-channel and n-channel version is created.