УДК 621.315.592.2:546.681”19

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния

Рахматов А. З., Скорняков С. Л., Каримов А. В.,
Ёдгорова Д. М., Абдулхаев О. А., Бузруков У. М.

Ключевые слова: диффузия, мышьяк, ампула, ограничитель напряжения, твердая фаза.

Показано, что при диффузионном легировании мышьяком Si-пластин в вакуумированной квар­це­вой ампуле наиболее эффективно использовать составнй источник в виде кристаллического мы­шья­ка и порошка кремния марки КДБ с концентрацией базовой примеси (бора) не менее чем в ле­ги­ру­е­мых Si-пластинах. Полученные результаты представляют интерес при разработке и про­из­вод­стве низковольтных (менее 7 В) ограничителей напряжения на основе кремния.

Узбекистан, г. Ташкент, ОАО «Foton», НПО «Физика-Солнце»

***

Physicotechnological aspects of low-voltage suppressors developement on the silicon base

Rakhmatov A. Z., Skorniakov S. L., Karimov A. V.,
Yodgorova D. M., Abdulkhayev O. A., Buzrukov U. M.

It is shown that by arsenic diffusion alloying of silicon plates in conditions of deaerated quartz ampoule the most effective is the use of a compound source in the form of crystal arsenic and silicon powder of boron-implanted silicon grade with base impurity (boron) concentration not less than the concentration of base impurity in alloyed silicon plates. The work defines experimental values of surface concentration, proper and effective diffusion coefficients that fit diffision conditions of As inside ampoule for 2 h at temperature 1423 K and pressure of As steams of 2·105 Pa. The received results are of interest in designing and producing of low-voltage (less than 7 V) suppressors on the silicon base.