УДК 621.315.592

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe

Катеринчук В. Н., Ковалюк З. Д., Хомяк В. В.

Ключевые слова: InSe, термическое окисление, поверхностное сопротивление, атомно-силовая микроскопия, поверхностная топология

Исследована динамика поверхностного сопротивления пленок In₂O₃, термически выращенных на подложках InSe в двух кристаллографических плоскостях. Установлено, что их сопротивление существенно меняется лишь в течение первых 5 минут периода окисления. Увеличение времени окисления не влияет на его величину, но приводит к трансформации топологии поверхности. На изображениях атомно-силовой микроскопии обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в виде наноигл. Их латеральные и вертикальные размеры, а также их плотность зависят от температурно-временных факторов.

Украина, г. Черновцы, ЧО ИПМ им. И. Н. Францевича НАНУ.

***

Electrical and topological properties of oxides films grown thermally on InSe substrates

Katerynchuk V. M., Kovaluk Z. D., Khomiak V. V.

The surface resistance dynamics of oxides grown thermally on InSe substrates in two crystallography planes is obtained. It is determined that resistance changes considerably only during the first 5 minutes of the oxidization period. The increase of an oxidization duration does not influence on its value, but it results in transformation of surface topology. The images of atomic-power microscopy visualize the surface nanostructurization of oxide in the form of nanoneedles. Their lateral and vertical parameters as well as their density are caused by temperature-time factors.