УДК 625.315.592

Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля

Ховерко Ю. Н.

Ключевые слова: поликремний, КНИ-структура, лазерная рекристаллизация, датчик, электронное облучение, магнетосопротивление.

Изучены свойства рекристаллизированых слоев поликремния на изоляторе в КНИ-структурах р-типа проводимости с различной концентрацией носителей заряда, облученных вы­со­ко­энер­ге­ти­чес­ки­ми электронами с потоком частиц до 10¹⁷ см^–2 в температурном диапазоне 4,2—300 К и в сильных магнитных полях. Установлено, что сильнолегированные слои поликремния на изоляторе проявляют радиационную стойкость при облучении, а магнетосопротивление этого материала в магнитном поле до 14 Тл не превышает 1—2%.

Украина, Национальный университет «Львовская политехника».

***

Investigation of the stability of polysilicon layers in SOI-structures under irradiation by electrons and hard magnetic field influence

Khoverko Yu. N.

The properties of recrystallized polysilicon on insulator layers of p-type conductive SOI-structures with different carrier concentration irradiated with high-energy electrons flow about 10¹⁷ сm^–2 in temperature range 4,2—300 К and high magnetic fields were investigated. It was found that heavily doped laser recrystallized polysilicon on insulator layers show its radiation resistance under irradiation with high-energy electrons and magnetoresistance of such material remains quite low in magnetic field about 14 T does not exceed 1—2%. Such qulity can be applied in designing of microelectronic sensors of mechanical values operable in hard conditions of exploitation.