http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2018.4.33

УДК 621.315.592.2:546.681'19

Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки

Карімов А. В., Рахматов А. З., Абдулхаєв О. А.,
Аріпова У. Х., Хідірназарова А. Ю., Кулієв Ш. М.
(російською мовою)

Ключові слова: дифузний діод, вольт-амперна характеристика, ємнісна характеристика, радіаційне опромінення, термічна обробка, падіння напруги.

Високочастотні випрямні обмежувальні діоди використовуються в джерелах живлення для випрямлення змінного струму, в елементах захисту радіоелектронного обладнання, а також в перемикаючих пристроях. Вони складають основу пристроїв енергозберігаючих технологій, відповідаючи високим вимогам щодо витримуваної потужності і стабільності параметрів. Основним завданням у технологічному процесі виготовлення високочастотних діодів є забезпечення оптимального значення прямого падіння напруги, яке можна порівняти з контактною різницею потенціалів р—n-переходу, і малого струму витоку.
Дана робота присвячена вивченню впливу радіаційного опромінення та подальшої термічної обробки на вольт-амперні та ємнісні характеристики високочастотних кремнієвих діодів.
Досліджувалися діоди з р⁺—р—n—n⁺-структурою, виготовлені з пластин кремнію КЕФ-4 n-типу провідності вихідною товщиною 235 мкм. Радіаційну обробку проводили на лінійному прискорювачі електронів ЕЛУ-6. Інтегральний потік «швидких» електронів складав від 1,0·10¹⁵ до 2,6·10¹⁷ см^–2, енергія 1,5 МеВ, щільність 1,7·10¹¹ — 5,5·10¹³ см^–2·с^–1. Термічну обробку проводили протягом 5 годин за температури 90°С у спеціальній камері.
На основі проведених досліджень показано, що термообробка призводить до зміщення прямої вольт-амперної характеристики в область менших напруг (тобто заданий струм можна досягти за меншої напруги), однак за малих значень струму падіння напруги після термобработкі може збільшитися. Зворотній струм зменшується в п’ять разів, спричиняючи зменшення виділеної потужності. При цьому також покращуються і часові характеристики діода за рахунок зниження ємності (до одного порядку).

Узбекистан, м. Ташкент, Фізико-технічний інститут НВО «Фізика–Сонце» АН РУз.

Опис статті для цитування: Каримов А. В., Рахматов А. З., Абдулхаев О. А., Арипова У. Х., Хидирназарова А. Ю., Кулиев Ш. М. Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2018, № 4, с. 33-37. http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2018.4.33

Cite the article as:: Karimov A. V., Rakhmatov A. Z., Abdulkhaev O. A., Aripova U. H., Khidirnazarova A. Yu., Kuliyev Sh. M. Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment. Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2018, no. 4, pp. 33-37. http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2018.4.33