Главная
Технологія та конструювання в електронній апаратурі, 2023, № 1-2, с. 43-49.
DOI: 10.15222/TKEA2023.1-2.43
УДК 621.382
Поліпшення зворотних характеристик кремнієвого варикапа за допомогою низькотемпературного гетерування
(українською мовою)
Литвиненко В. М.1, Шутов С. В.2

Україна, 1Херсонський державний аграрно-економічний університет; 2м. Київ, Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України.

Розглянуто причини та механізми деградації зворотних характеристик варикапа в процесі формування омічного контакту на основі нікелю. Досліджено вплив низькотемпературного гетерувального відпалу варикапних структур після формування омічного контакту на основі нікелю на рівень зворотного струму варикапів, а також проаналізовано можливі механізми цього впливу. Показано ефективність запропонованої технології з використанням гетерування щодо зниження рівня зворотних струмів і підвищення виходу придатних приладів.

Ключові слова: нікель, омічний контакт, гетерування, варикап, структурні дефекти, зворотний струм.

Дата подання рукопису 25.12 2022
Використані джерела
  1. Тимошенков С. П., Бойко А. Н., Гаев Д. С., Калмыков Р. М. Интегральный варикап повышенной емкости на основе пористого кремния. Известия вузов. Электроника, 2017, т. 22, №1, с. 15–19.
  2. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. Москва, Радио и связь, 1990, 264 с.
  3. Ирха В.И. Флуктуационные процессы в варикапах. Наукові праці ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2016, № 1, с. 15–21.
  4. Савченко М.П., Старовойтова О.В. Цепь отрицательной обратной связи по шумам для автогенератора с варикапами. Вестник Балтийского федерального университета им. И. Канта. Сер.: Физико-математические и технические науки, 2016, №2, с. 66–69.
  5. Спиридонов А.Б., Лицоев С.В., Петручук И.И. Разработка МДП-варикапа с переносом заряда в СВЧ-диапазоне. Прикладная физика, 2016, № 3, с. 75–80.
  6. Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Москва, Высшая школа, 1986. 368 с.
  7. Поут Дж., Ту К., Мейер Дж., Розенберг Р. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута. Москва, Мир, 1982, 576 с.
  8. Литвиненко В.Н., Богач Н.В. Дефекты и примеси в кремнии и методы их геттерирования. Вісник ХНТУ, 2017, т. 60, №1, с. 32–42.
  9. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. Москва, Мир, 1984, 472 с.
  10. Бахадирханов М.К., Исмайлов Б.К. Геттерирующие свойства кластеров атомов никеля в решетке кремния. Приборы, 2020. т. 240, № 6, с. 44–48.
  11. Воробей Р.И., Гусев О.К., Тявловский К.Л. и др. Геттерирование эпитаксиальных структур редкоземельными елементами. Труды 10-й Междунар. конф. «Приборостроение – 2017». РБ, Минск, 2017, с. 73–74.
  12. Харченко В.А. Геттеры в кремнии. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, 2018, т. 21, № 1, с. 5–17. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2018-1-5-17
  13. Литвиненко В.М., Богач М.В. Моделювання процесів гетерування швидкодифундуючих домішок в технології діодів Шотткі. Вісник ХНТУ, 2019, т. 68, №1, с. 25–33.
  14. Литвиненко В.М. Фізика та технологія напівпровідникових діодів. Херсон, ФОП Вишемирський В.С., 2018, 184 с.
  15. Литвиненко В.М. Исследование влияния сезонных факторов на обратные токи кремниевых варикапов. Вісник ХНТУ, 2016, т. 56, №. 1, с. 39–44.
  16. Немцев Г.З. Пекарев А.И., Чистяков Ю.Д., Бурмистров А.Н. Геттерирование точечных дефектов в производстве полупроводниковых приборов. Зарубежная электронная техника, 1981, т. 245, вып. 311, с. 3–63.
  17. Пилипенко В. А., Горушко В. А., Петлицкий А. Н. и др. Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013, № 2–3, с. 43–57.
  18. Лабунов В.А., Баранов И.Л., Бондаренко В.П., Дорофеев А.М. Современные методы геттерирования в технологии полупроводниковой электроники. Зарубежная электронная техника, № 11(270), 1983, с. 3–66.
  19. Верховский Е.И. Методы геттерирования примесей в кремнии. Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 1981, вып. 8(838), с. 1–48.
  20. Бохан Ю.И., Каменков В.С., Толочко Н.К. Доминирующие факторы лазерного геттерирования кремниевых пластин. Физика и техника полупроводников, 2015, т. 49, вып. 2, с. 278–282.
  21. Vikulin I.M., Litvinenko V.N., Shutov S.V. et al. Enhancing parameters of silicon varicaps using laser gettering. Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature, 2018, no. 2, p. 29–32. https://doi.org/10.15222/TKEA2018.2.29
  22. Пилипенко В.А., Вечер Д.В., Понарядов В.В. и др. Влияние лазерного геттерирования на структурные и электрические параметры эпитаксиальных слоев кремния. Вестник БГУ. Сер. 1, 2007, вып. 2, с. 39–42.
  23. Litvinenko V. N., Vikulin I.M., Gorbachev V.E. Іmprovement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering. Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature, 2019, no. 1–2, p. 34–39. https://doi.org/10.15222/TKEA2019.1-2.34
  24. Литвиненко В.М., Вікулін І.М. Вплив властивостей поверхні на зворотні характеристики напівпровідникових приладів. Вісник ХНТУ, 2018, т. 64, № 1, с. 46–56.
  25. Litvinenko V. N., Вaganov Ye. A., Vikulin I.M., Gorbachev V.E. Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation. Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature, 2020, no. 1–2, p. 45–50. https://doi.org/10.15222/TKEA2020.1-2.45
  26. Воробьев Ю.В., Добровольский В.Н., Стриха В.И. Методы исследования полупроводников. Киев, Выща школа, 1988, 232 с. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. Москва , Мир, 1986, 176 с.
  27. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. Москва, Мир, 1977, 562 с.