Главная
Технологія та конструювання в електронній апаратурі, 2023, № 3-4, с. 35-38.
DOI: 10.15222/TKEA2023.3-4.35
УДК 621.382
Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
(українською мовою)
Вікулін1 І. М., Вікуліна2 Л. Ф., Марколенко1 П. Ю., Назаренко1 О. А.

Україна, м. Одеса, 1Державний університет інтелектуальних технологій і зв'язку; 2Одеський Державний аграрний університет.

Експериментально досліджено вплив температури та радіації на характеристики генераторів на основі одноперехідного транзистора (ОПТ). Для підсилення залежності частоти від температури в коло емітера ОПТ та бази вводяться польові транзистори. Максимальна чутливість з прямою залежністю частоти від температури та максимальна компенсація дії радіації на вихідний сигнал досягається при включенні в коло емітера ОПТ польового МДН-транзистора, а в коло бази — польового транзистора з p-n-переходом. Встановлено також граничні величини потоків різних випромінювань, вище яких генератор перестає працювати.

Ключові слова: сенсор-перетворювач, одноперехідний транзистор, польовий транзистор, температурна залежність, радіаційна стійкість.

Дата подання рукопису 30.10 2023
Використані джерела
  1. Виглеб Г. Датчики. М., Мир, 1989, 196 с.
  2. Шарапов В.М., Полищук Е.С., Ишанин Г.Г. Датчики : справочное пособие. Черкаси, Брама-Україна. 2008, 1072 с.
  3. Вербицький В.Г., Воробієнко П.П., Курмашев Ш.Д. та ін. Розробка високоефективних технологій оптоелектроніки. Київ, Логос, 2009, 301 с.
  4. Chen Yx., Liu J., Xiao K. et al. Unijunction transistor on silicon-on-insulator substrate. 2020 IEEE 15th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT), Kunming, China, 2020, pp. 1 - 3. https://doi.org/10.1109/ICSICT49897.2020.9278352
  5. Vikulin I.M., Vikulina L.F., Gorbachev V. E., Mikhailov N. S. Temperature stable radiation-resistant current reference generator based on field-effect transistors. Radioelectronics and Communications Systems. 2021, vol. 64, no. 6, pp. 310 - 318. https://doi.org/10.3103/S0735272721060042
  6. Мокріцький В.А., Маслов О.В. Фізико-техничні основи мікроелектроніки. Т. 1. Одеса: Екологія, 2018, 204 с.
  7. Кулаков В.М., Ладыгин Е. А., Шаховцев В. И. и др. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. М., Сов. Радио, 1980, 234 с.
  8. Горбачова Г.В., Марколенко П.Ю. Дія іонізуючого випромінювання на частотні перетворювачі температури. Матеріали IX Міжнародної науково-практичної конференції "Інфокомунікації - Сучасність та майбутнє". Україна, Одеса, 2019, с. 83 - 86.
  9. Вікулін І.М., Горбачов В.Е., Назаренко О.А. Радіаційночутливий детектор на основі польових транзисторів. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 2017, т. 60, N 9, c. 515 - 520. https://doi.org/10.3103/S0735272717090035