Технологія та конструювання в електронній апаратурі, 2023, № 3-4, с. 35-38.
DOI: 10.15222/TKEA2023.3-4.35
УДК 621.382
Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
(українською мовою)
Вікулін1 І. М., Вікуліна2 Л. Ф., Марколенко1 П. Ю., Назаренко1 О. А.
Україна, м. Одеса, 1Державний університет інтелектуальних технологій і зв'язку; 2Одеський Державний аграрний університет.
Експериментально досліджено вплив температури та радіації на характеристики генераторів на основі одноперехідного транзистора (ОПТ). Для підсилення залежності частоти від температури в коло емітера ОПТ та бази вводяться польові транзистори. Максимальна чутливість з прямою залежністю частоти від температури та максимальна компенсація дії радіації на вихідний сигнал досягається при включенні в коло емітера ОПТ польового МДН-транзистора, а в коло бази — польового транзистора з p-n-переходом. Встановлено також граничні величини потоків різних випромінювань, вище яких генератор перестає працювати.
Ключові слова: сенсор-перетворювач, одноперехідний транзистор, польовий транзистор, температурна залежність, радіаційна стійкість.
Дата подання рукопису 30.10 2023
Використані джерела
-
Виглеб Г. Датчики. М., Мир, 1989, 196 с.
-
Шарапов В.М., Полищук Е.С., Ишанин Г.Г. Датчики : справочное пособие. Черкаси, Брама-Україна. 2008, 1072 с.
-
Вербицький В.Г., Воробієнко П.П., Курмашев Ш.Д. та ін. Розробка високоефективних технологій оптоелектроніки. Київ, Логос, 2009, 301 с.
-
Chen Yx., Liu J., Xiao K. et al. Unijunction transistor on silicon-on-insulator substrate. 2020 IEEE 15th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT), Kunming, China, 2020, pp. 1 - 3. https://doi.org/10.1109/ICSICT49897.2020.9278352
-
Vikulin I.M., Vikulina L.F., Gorbachev V. E., Mikhailov N. S. Temperature stable radiation-resistant current reference generator based on field-effect transistors. Radioelectronics and Communications Systems. 2021, vol. 64, no. 6, pp. 310 - 318. https://doi.org/10.3103/S0735272721060042
-
Мокріцький В.А., Маслов О.В. Фізико-техничні основи мікроелектроніки. Т. 1. Одеса: Екологія, 2018, 204 с.
-
Кулаков В.М., Ладыгин Е. А., Шаховцев В. И. и др. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. М., Сов. Радио, 1980, 234 с.
-
Горбачова Г.В., Марколенко П.Ю. Дія іонізуючого випромінювання на частотні перетворювачі температури. Матеріали IX Міжнародної науково-практичної конференції "Інфокомунікації - Сучасність та майбутнє". Україна, Одеса, 2019, с. 83 - 86.
-
Вікулін І.М., Горбачов В.Е., Назаренко О.А. Радіаційночутливий детектор на основі польових транзисторів. Вісті вищих учбових закладів. Радіоелектроніка, 2017, т. 60, N 9, c. 515 - 520. https://doi.org/10.3103/S0735272717090035
|