Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники

  • Ю. М. Шварц Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • М. М. Шварц Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: экстремальная электроника, p-n-переход, Si, сенсор, температура

Анотація

Представлены результаты фундаментальных и метрологических исследований, которые были использованы для создания диодных сенсоров температуры экстремальной электроники. Сенсоры, разработанные на базе современной промышленной технологии изготовления кремниевых диодных чипов, применены в составе многоканальных систем для температурного мониторинга IV блока Чернобыльской АЭС и контроля температурных режимов заправки при пусках ракет-носителей "Зенит-3SL".

Опубліковано
2005-06-30
Як цитувати
Шварц, Ю. М., & Шварц, М. М. (2005). Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 30-33. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.30
Номер
№ 3 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2005 Шварц Ю. М., Шварц М. М.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.