Исследование контакта "металл — полупроводник на основе НgMnTe"

  • Л. А. Косяченко Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Украина
  • А. В. Марков Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Украина
  • С. Е. Остапов Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Украина
  • И. М. Раренко Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Украина
Ключові слова: контакт металл—полупроводник, узкозонный полупроводник, HgMnTe, уравнение Пуассона, распределение потенциала, напряженность электрического поля, плотность заряда, детекторы инфракрасного излучения

Анотація

Решено уравнение Пуассона для контакта "металл — узкозонный полупроводник HgMnTe" и исследованы особенности распределения потенциала, напряженности электрического поля и плотности заряда. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей. Результаты могут быть использованы для расчетов параметров детекторов инфракрасного излучения в диапазонах 3—5 и 8—14 мкм.

Опубліковано
2002-06-30
Як цитувати
Косяченко, Л. А., Марков, А. В., Остапов, С. Е., & Раренко, И. М. (2002). Исследование контакта "металл — полупроводник на основе НgMnTe". Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 3-5. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.3.03
Номер
№ 3 (2002): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2002 Косяченко Л.А., Марков А.В., Остапов С.Э., Раренко И.М.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.