Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра

  • Ю. Г. Добровольский НПФ «Тензор», Черновцы, Украина
Ключові слова: фотодиод, фосфид галлия, компьютерное моделирование, чувствительность

Анотація

Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, оп­ре­де­ля­ющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-барьерной структурой на основе n+–n-GaP–SnO2(F). Показано, что токовая монохроматическая чувствительность к излучению с дли­ной волны 250 нм у такой структуры может достигать 0,1–0,12 А/Вт.

Опубліковано
2012-10-23
Як цитувати
Добровольский, Ю. Г. (2012). Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 31-34. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.31
Номер
№ 5 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2012 Добровольский Ю. Г.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.