Мо­дель ли­нии пе­ре­да­чи для на­но­элек­тро­ни­ки

Анотація

Рас­смот­ре­но ис­по­ль­зо­ва­ние мо­де­ли ли­нии пе­ре­да­чи для ана­ли­за ти­пич­ных ба­рь­ер­ных струк­тур на­но­элек­тро­ни­ки. По­лу­че­ны ана­ли­ти­че­ские вы­ра­же­ния для ре­зо­нан­сных па­ра­мет­ров и ха­рак­те­ри­стик двух­ба­рь­ер­ных и од­но­ба­рь­ер­ных струк­тур с ре­зо­нан­сным тун­не­ли­ро­ва­ни­ем элек­тро­нов. Рас­смот­ре­ны за­да­чи с де­ль­та-фу­нк­ци­она­ль­ным по­тен­ци­а­лом. При­ве­де­ны ха­ра­к­те­ри­сти­ки, ил­лю­стри­ру­ю­щие эф­фек­тив­ность та­ко­го под­хо­да.