Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃

  • A. A. Балицкий Львовський национальный университет имени Ивана Франко, Украина
Ключові слова: слоистые кристаллы, In₄Se₃, скол, поверхность, шероховатость, резкий гетеропереход

Анотація

Исследована топология поверхности кристалла In4Se3 методами сканирующей электронной и туннельной микроскопии. На поверхности практически отсутствуют флуктуации рельефа за исключением кластерной структуры в нанометровом масштабе. После скалывания на поверхности также обнаружено небольшое количество протяженных дефектов микрометровых размеров. Шероховатость поверхности практически идеальна для формирования резких гетеропереходов в качестве подложки.

Опубліковано
2006-04-30
Як цитувати
БалицкийA. A. (2006). Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 63-64. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.63
Номер
№ 2 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2006 Балицкий A. A.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.