Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка

  • З. Р. Кудринский Институт проблем материаловедения им. И. М. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение, Украина
  • З. Д. Ковалюк Институт проблем материаловедения им. И. М. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение, Украина
Ключові слова: слоистые кристаллы, гетеропереходы, отжиг, спектральные характеристики, вольт-фарадные характеристики

Анотація

Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe–p-GaSe и n-ZnSe–p-InSe, фоточувствительные в ближней инфракрасной и видимой областях спектра. Способ открывает широкие возможности изготовления гетероструктур с заданной полосой чувствительности.

Опубліковано
2012-12-27
Як цитувати
Кудринский, З. Р., & Ковалюк, З. Д. (2012). Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 40-43. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA.2012.6.40
Номер
№ 6 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2012 Кудринский З. Р., Ковалюк З. Д.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.