Особенности разработки датчиков давления на ПАВ для АЭС

  • Я. И. Лепих НТЦ “Фонон”, Одесса, Украина
  • В. К. Лопушенко НИИ ТМ "Ритм", Киев, Украина
  • Н. Г. Черняк НИИ ТМ "Ритм", Киев, Украина
  • Ю. Е. Николаенко Министерство промышленной политики Украины, Киев, Украина
Ключові слова: датчики давления, поверхностные акустические волны, ПАВ-преобразователь, атомные электростанции, структурная схема, метрологические характеристики

Анотація

Рассмотрены особенности проектирование датчиков давления с первичным преобразователем на поверхностных акустических волнах для АЭС. Описаны структурная схема и конструкция датчика. Проводится анализ функциональной схемы датчика с точки зрения его метрологических характеристик. Сопоставляются результаты экспериментальных исследований характеристик датчиков с расчетными.

Опубліковано
2002-04-30
Як цитувати
Лепих, Я. И., Лопушенко, В. К., Черняк, Н. Г., & Николаенко, Ю. Е. (2002). Особенности разработки датчиков давления на ПАВ для АЭС. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 58-62. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.2.58
Номер
№ 2 (2002): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2002 Лепих Я. И., Лопушенко В. К., Черняк Н. Г., Николаенко Ю. Е.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.