Микрочиповые лазеры

  • A. O. матковский Национальный университет «Львовская политехника», Украина
  • И. М. Сыворотка НПП «Карат», Львов, Украина
  • С. Б. Убизский НПП «Карат», Львов, Украина
  • С. С. Мельник НПП «Карат», Львов, Украина
  • Н. М. Вакив НПП «Карат», Львов, Украина
  • И. И. Ижнин НПП «Карат», Львов, Украина
Ключові слова: микрочиповые лазеры, твердотельные микролазеры с диодной накачкой, пассивная модуляция добротности, одномодовое излучение, эпитаксиальные структуры, АИГ-Nd/АИГ-Cr, ГГГ-Nd/ГГГ-Cr, активная среда

Анотація

Твердотельные микролазеры нового поколения с накачкой полупроводниковыми лазерными диодами — микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности резонатора — являются перспективными источниками когерентного одномодового излучения в тех областях, где необходимы короткие импульсы с энергией в несколько микроджоулей при пиковой мощности в десятки киловатт. Авторы представляют собственные результаты по выращиванию и тестированию эпитаксиальных структур на основе АИГ-Nd/АИГ-Cr и ГГГ-Nd/ГГГ-Cr в качестве активной среды для микрочиповых лазеров с пассивной модуляцией добротности.

Опубліковано
2002-06-30
Як цитувати
матковскийA. O., Сыворотка, И. М., Убизский, С. Б., Мельник, С. С., Вакив, Н. М., & Ижнин, И. И. (2002). Микрочиповые лазеры. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 15-21. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.3.15
Номер
№ 3 (2002): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2002 Матковский А.О., Сыворотка И.М., Убизский С.Б., Мельник С.C., Вакив Н.М., Ижнин И.И.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.