Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии

  • Ю. Е. Николаенко НПП «Карат», Львов, Украина
  • С. И. Круковский НПП «Карат», Львов, Украина
  • И. Р. Завербный НПП «Карат», Львов, Украина
  • О. В. Рыбак НПП «Карат», Львов, Украина
  • И. А. Мрыхин НПП «Карат», Львов, Украина
Ключові слова: тандемные гетероструктуры, фотопреобразователи солнечной энергии, метод ЖФЭ, p—n-переход, лавинный диод, растровая электронная микроскопия

Анотація

Рассмотрены технологические особенности получения многослойных гетероструктур в системе GaAs—InGaAs—AlGaAs c тремя р—n-переходами методом ЖФЭ. Гетероструктуры предназначены для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей солнечной энергии космического базирования. Особенностью гетероструктур является наличие в их составе лавинного диода, соединяющего узкозонный и широкозонный р—n-переходы. Исследуются электрофизические характеристики слоев AlGaAs, легированных Mg и Bi. При-ведены результаты исследований тандемной гетероструктуры с использованием растровой электронной мик-роскопии.

Опубліковано
2002-06-30
Як цитувати
Николаенко, Ю. Е., Круковский, С. И., Завербный, И. Р., Рыбак, О. В., & Мрыхин, И. А. (2002). Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 27-29. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.3.27
Номер
№ 3 (2002): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2002 Николаенко Ю.Е., Круковский С.И., Завербный И.Р., Рыбак О.В., Мрыхин И.А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.