Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки

  • И. Е. Марончук Херсонский национальный технический университет, Украина
  • В. В. Курак Херсонский национальный технический университет, Украина
  • Е. В. Андронова Херсонский национальный технический университет, Украина
  • Е. а. Баганов Херсонский национальный технический университет, Украина
Ключові слова: жидкофазная эпитаксия, растворение, GaSb, InAs, механическое напряжение

Анотація

Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ей жидкой фазой Ga+Sb. Показано, что при отсутствии растворения подложки раствором-расплавом образование твердых растворов InGaAsSb в процессе роста эпитаксиального слоя GaSb не происходит, поскольку твердофазное растворение GaSb подложкой InAs является энергетически невыгодным.

Опубліковано
2003-12-30
Як цитувати
Марончук, И. Е., Курак, В. В., Андронова, Е. В., & Баганов, Е. а. (2003). Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 6-9. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.06
Номер
№ 6 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2003 Марончук И. Е., Курак В. В., Андронова Е. В., Баганов Е. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.