Исследование радиационной стойкости гибридных интегральных микросхем

Анотація

Ис­сле­до­ва­ние воз­дей­ствия быс­трых элек­тро­нов и ней­тро­нов про­ве­де­но на мик­ро­сбор­ках, пред­наз­на­чен­ных для из­ме­ре­ния и ста­би­ли­за­ции тем­пе­ра­ту­ры пер­вич­ных пре­об­ра­зо­ва­те­лей не­элек­три­чес­ких ве­ли­чин, у ко­то­рых пе­ре­да­точ­ная ха­рак­те­рис­ти­ка за­ви­сит от тем­пе­ра­ту­ры. Об­на­ру­же­на до­ста­точ­но вы­со­кая стой­кость ос­нов­ных па­ра­мет­ров мик­ро­схем к та­ко­му воз­дей­ствию. По­ка­за­ны при­чи­ны из­ме­не­ний не­ко­то­рых па­ра­мет­ров под дей­стви­ем на­зван­ных из­лу­че­ний.