Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs

  • Н. Б. Горев Институт технической механики НАНУ и НКАУ, Днепропетровск, Украина
  • И. Ф. Коджеспирова Институт технической механики НАНУ и НКАУ, Днепропетровск, Украина
  • Е. Н. Привалов Институт технической механики НАНУ и НКАУ, Днепропетровск, Украина
Ключові слова: ар­се­нид гал­лия, ион­но-им­план­ти­ро­ван­ная струк­ту­ра, барь­ер Шот­тки, вольт-фа­рад­ная ха­рак­те­рис­ти­ка, глу­бо­кие цен­тры за­хва­та

Анотація

Пред­ло­жен не­ите­ра­ци­он­ный чис­лен­ный ме­тод рас­че­та за­ви­си­мос­ти ба­рьер­ной ем­кос­ти ион­но-им­план­ти­ро­ван­ных струк­тур GaAs от на­пря­же­ния на барье­ре Шот­тки. Вы­яв­ле­ны осо­бен­нос­ти низ­ко- и вы­со­ко­час­тот­ной вольт-фа­рад­ной ха­рак­те­рис­ти­ки этих струк­тур, обу­слов­лен­ные на­ли­чи­ем глу­бо­ких цен­тров зах­ва­та.

Опубліковано
2008-08-30
Як цитувати
Горев, Н. Б., Коджеспирова, И. Ф., & Привалов, Е. Н. (2008). Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 52-54. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.4.52
Номер
№ 4 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2008 Горев Н. Б., Коджеспирова И. Ф., Привалов Е. Н.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.