Особенности проектирования внутренних цепей питания микромощных БИС на основе элементов инжекционной логики
Анотація
Контроль величины омического сопротивления «скрытых слоев» n+-типа с использованием математической модели на основе элементарной ячейки эквивалентной сосредоточенной проводимости с разбиением по двум координатам позволяет обеспечить существенное уменьшение разброса численных значений токов инжекторов И2Л-БИС по поверхности кристалла и уменьшить общую площадь кристалла за счет сокращения суммарной площади металлизации шин питания.
Авторське право (c) 2008 Белоус А. И., Емельянов В. А., Сякерский В. С., Силин А. В.

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.