Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V

Анотація

Описываются результаты феноменологического исследования на базе in-situ-метода УФ-спектроскопии состава газовой фазы в области источников GaAs, GaP, In, Ga, In/Ga прямоточного горизонтального реактора. Экспериментальные результаты используются, чтобы проанализировать процесс выращивания слоев GaAs:Bi, GaAs_1–хPх, In_1–хGa_хAs, In_хGa_1–хAs_уP_1–у низкотемпературным изотермическим газотранспортным методом хлоридной эпитаксии. Полученные данные дают возможность определять температуру и интервал скоростей потока газа носителя H₂ для формирования перенасыщенной газовой фазы при низкотемпературном росте гетеро- и наноструктур на базе слоев GaAs, GaAs_1–хP_х, In_1–хGa_хAs, In_хGa_1–хAs_уP_1–у.