Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпи­так­си­аль­ных структурах GaAs

  • Н. Б. Горев Институт технической механики НАНУ и НКАУ, Днепропетровск, Украина
  • И. Ф. Коджеспирова Институт технической механики НАНУ и НКАУ, Днепропетровск, Украина
  • Е. Н. Привалов Институт технической механики НАНУ и НКАУ, Днепропетровск, Украина
Ключові слова: арсенид галлия, эпитаксиальная структура, барьер Шоттки, вольт-фарадная характеристика, глубокие центры

Анотація

Предложен простой метод определения концентрации незаполненных глубоких центров вбли­зи границы «пленка — подложка». Метод основан на определении увеличения ширины про­во­дя­ще­го канала под действием примесного освещения по сдвигу точки перегиба вольт-фа­рад­ной характеристики. Достоверность метода подтверждена измерениями концентрации не­за­пол­нен­ных глубоких центров в арсенид-галлиевых пластинах с буферным слоем и без него.

Опубліковано
2010-08-24
Як цитувати
Горев, Н. Б., Коджеспирова, И. Ф., & Привалов, Е. Н. (2010). Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпи­так­си­аль­ных структурах GaAs. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 53-56. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.4.53
Номер
№ 4 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2010 Горев Н. Б., Коджеспирова И. Ф., Привалов Е. Н.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.