Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза

  • А. А. Алтухов ПТЦ «УралАлмазИнвест», Москва, Россия
  • М. С. Афанасьев ПТЦ «УралАлмазИнвест», Москва, Россия
  • К. Н. Зяблюк ПТЦ «УралАлмазИнвест», Москва, Россия
  • А. Ю. Митягин Фрязинский филиал ИРЭ им. академика В. А. Котельникова РАН, Россия
  • Н. Х. Талипов Фрязинский филиал ИРЭ им. академика В. А. Котельникова РАН, Россия
  • Г. В. Чучева Фрязинский филиал ИРЭ им. академика В. А. Котельникова РАН, Россия
Ключові слова: алмаз, гидрогенизация, СВЧ-транзисторы, барьеры Шоттки

Анотація

Предложен метод термообработки в водороде природных и выращенных методом CVD кристаллов алмаза, который может служить альтернативой общепринятому методу формирования H-слоя в СВЧ-плазме водорода как более простой и воспроизводимый. Установлена граница термической стабильности гидрированной алмазной поверхности. Показано, что алюминий, напыленный на гидрированную при термообработках в водороде алмазную поверхность, может служить в качестве затвора Шоттки в полевых СВЧ-транзисторах, изготовленных по технологии MESFET.

Опубліковано
2011-10-17
Як цитувати
Алтухов, А. А., Афанасьев, М. С., Зяблюк, К. Н., Митягин, А. Ю., Талипов, Н. Х., & Чучева, Г. В. (2011). Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 14-16. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.14
Номер
№ 5 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2011 Алтухов А. А., Афанасьев М. С., Зяблюк К. Н., Митягин А. Ю., Талипов Н. Х., Чучева Г. В.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.