Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb

  • Е. В. Андронова Херсонский национальный технический университет, Херсон, Украина
  • E. A. Баганов Херсонский национальный технический университет, Херсон, Украина
  • В. В. Курак Херсонский национальный технический университет, Херсон, Украина
Ключові слова: низкоразмерные структуры, антимонид индия, антимонид галлия, жидкофазная эпитаксия, спектр фотолюминесценции, излучательные переходы

Анотація

Представлены результаты исследования спектров фотолюминесценции эпитаксиальных структур, состоящих из матрицы GaSb, в объеме которой методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава сформированы низкоразмерные структуры из InSb. Показано, что наблюдаемые полосы фотолюминесценции связаны с излучательными переходами при участии энергетических уровней низкоразмерных островковых структур InSb, формирующихся на смачивающем слое антимонида индия толщиной примерно 2 нм.

Опубліковано
2011-10-17
Як цитувати
Андронова, Е. В., БагановE. A., & Курак, В. В. (2011). Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 35-38. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.5.35
Номер
№ 5 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2011 Андронова Е. В., Баганов Е. А., Курак В. В.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.