Модель алмазного транзистора

  • А. А. Алтухов ПТЦ «УралАлмазИнвест», Москва, Россия
  • К. Н. Зяблюк ПТЦ «УралАлмазИнвест», Москва, Россия
  • А. Ю. Митягин Фрязинский филиал ИРЭ им. академика В. А. Котельникова РАН, Россия
  • В. Н. Талипов Фрязинский филиал ИРЭ им. академика В. А. Котельникова РАН, Россия
  • Г. В. Чучева Фрязинский филиал ИРЭ им. академика В. А. Котельникова РАН, Россия
Ключові слова: полевой алмазный СВЧ-транзистор, модель плавного затвора, вольт-амперная характеристика, максимальная мощность транзистора, коэффициенты усиления транзистора

Анотація

Разработана модель плавного затвора, достаточно хорошо описывающая работу полевого ал­маз­но­го СВЧ-транзистора. Используя данную модель можно рассчитать его характеристики по электрофизическим параметрам алмазной структуры с δ-легированным (водородом или бо­ром) слоем и по геометрическим параметрам элементов транзистора. Рассчитанные ос­нов­ные параметры модельного СВЧ-транзистора достаточно хорошо согласуются с опу­б­ли­ко­ва­н­ны­ми экспериментальными результатами измерений реальных СВЧ-транзисторов.

Опубліковано
2011-12-29
Як цитувати
Алтухов, А. А., Зяблюк, К. Н., Митягин, А. Ю., Талипов, В. Н., & Чучева, Г. В. (2011). Модель алмазного транзистора. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 13-19. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.13
Номер
№ 6 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2011 Алтухов А. А., Зяблюк К. Н., Митягин А. Ю., Талипов Н. Х., Чучева Г. В.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.