Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных ком­по­зи­ци­ях K2Cr2O7–HBr

  • И. И. Павлович Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • З. Ф. Томашик Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • В. Н. Томашик Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • И. Б. Стратийчук Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: полирующий травитель, халькогениды висмута, поверхность, химическое травление

Анотація

Разработаны полирующие травители и даны рекомендации по их применению для обработки по­лу­про­вод­ни­ко­вых материалов, которые используются для изготовления рабочих элементов тер­мо­элек­три­чес­ких приборов.

Опубліковано
2011-12-29
Як цитувати
Павлович, И. И., Томашик, З. Ф., Томашик, В. Н., & Стратийчук, И. Б. (2011). Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных ком­по­зи­ци­ях K2Cr2O7–HBr. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 27-29. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.6.27
Номер
№ 6 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2011 Павлович И. И., Томашик З. Ф., Томашик В. Н., Стратийчук И. Б.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.