Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры

Анотація

Исследования показали, что при уменьшении толщины базовой области пропорционально уме­нь­ша­ет­ся тепловое сопротивление структуры, а зависимость перегрева p–n-перехода от им­пуль­с­ной мощности приближается к экспоненциальной, что увеличивает выдерживаемую мо­щ­ность. Так, например, для заданной температуры перегрева уменьшение толщины ба­зо­вой области от 500 до 250 мкм может значительно (до 30%) повысить допустимую мощ­ность ди­од­ной структуры.