Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раз­де­ла «SiO2–Si»

  • О. А. Кулинич Одесский национальный экономический университет, Одесса, Украина
  • И. П. Яцунский Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова, Одесса, Украина
  • Т. Ю. Ештокина Одесский национальный экономический университет, Одесса, Украина
  • Г. И. Брусенская Одесский национальный экономический университет, Одесса, Украина
  • И. А. Марчук Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова, Одесса, Украина
Ключові слова: фотолюминесценция, пластическая деформация, дефекты, дислокации, напряжения

Анотація

Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов плас­ти­чес­кой деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения сло­ев наноструктурированного кремния деформационным методом.

Опубліковано
2012-02-28
Як цитувати
Кулинич, О. А., Яцунский, И. П., Ештокина, Т. Ю., Брусенская, Г. И., & Марчук, И. А. (2012). Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раз­де­ла «SiO2–Si». Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 47-50. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.47
Номер
№ 2 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2012 Кулинич О. А., Яцунский И. Р., Ештокина Т. Ю., Брусенская Г. И., Марчук И. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.