Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками

  • Л. С. Максименко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • O. H. Мищук Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • И. Е. Матяш Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Б. К. Сердега Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Е. Г. Костин Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев, Украина
  • Б. П. Полозов Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев, Украина
  • O. A. Федорович Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев, Украина
  • Г. К. Савинков НТЦ «Криптон», Киев, Украина
Ключові слова: алмазоподобные пленки, модуляционная поляриметрия, композитные нанокластерные пленки

Анотація

Исследованы алмазоподобные пленки, специально приготовленные при различных технологических условиях. Введен параметр ρ, называемый поляризационной разностью. Из спектральных характеристик параметра ρ обнаружено, что взаимодействие электромагнитного излучения с электронной системой образцов, которое происходит в используемом спектральном диапазоне, состоит из двух поверхностных резонансов — локального и поляритонного, различающихся частотой и временем релаксации. Сделан вывод о том, что соотношение амплитуд резонансов определяется структурными свойствами образцов, что свидетельствуют о перспективности метода модуляционной поляриметрии для диагностики структурной однородности композитных нанокластерных пленок.

Опубліковано
2013-02-18
Як цитувати
Максименко, Л. С., МищукO. H., Матяш, И. Е., Сердега, Б. К., Костин, Е. Г., Полозов, Б. П., ФедоровичO. A., & Савинков, Г. К. (2013). Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (1), 3-8. вилучено із https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.03