Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD

H. M. Вакив; С. И. Круковский; С. Ю. Ларкин; А. Ю. Ав­к­се­н­тьев; P. C. Круковский

doi:10.15222/TKEA2014.2.61

H. M. Вакив Научно-производственное предприятие «Карат», Львов, Украина
С. И. Круковский Научно-производственное предприятие «Карат», Львов, Украина
С. Ю. Ларкин НПК «Наука», Киев, Украина
А. Ю. Авксентьев НПК «Наука», Киев, Украина
P. C. Круковский НПК «Наука», Киев, Украина

DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2014.2.61

Ключові слова: эпитаксиальный слой, арсенид галлия, МОС-гидридная эпитаксия, гетерограница, редкоземельный элемент, легирование

Анотація

Разработан способ формирования качественных гетерограниц в системе p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в условиях непрерывного роста при изменении температуры кристаллизации от 600 до 760°С. Установлено, что режим формирования слоя твердого раствора p⁺-AlGaAs:Zn на поверхности слоя n-GaAs:Si при повышении температуры в указанном интервале со скоростью 8–10°С/мин позволяет получить резкую границу раздела между слоями р- и n-типа проводимости. Такой способ формирования резких гетерограниц в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si может быть использован для изготовления широкой номенклатуры эпитаксиальных структур.

Посилання

Petrova-Koch V., Hezel R., Gotszberger A.. Highefficient low cost photovoltaics. Springer, 2009.

Dong J. R., Teng J. H., Chua S. J. et al. MOCVD growth of 980 nm InGaAs/GaAs/AlGaAs graded index separate confinement heterostructure quantum well lasers with tertiarybutylarsine. Journal of Crystal Growth, 2006, vol. 289, iss. 1, pp. 59-62. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.10.138

Shastry S. K., Zemon S., Kenneson D. G., Lambert G. Control of residual imprities in very high purity GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy. Appl. Phys.Lett., 1988, vol. 52, iss. 2, p. 150. https://doi.org/10.1063/1.99034

Fuek Sh., Umemura M., Yamada N. et al. Morfology of GaAs homoepitaxial layer grown on (111)A substrate planes by organometalllic vapor phase deposition. Journal of Applied Physics, 1990, vol. 68, iss. 1, pp. 97-100. https://doi.org/10.1063/1.347076

Umemura M., Kuwahara K., Fuke Sh. et al. Morphology of AlGaAs layer grown on GaAs(111)A substrate plane by organometallic vapor phase epitaxy. J. Appl. Phys., 1992, vol. 72, iss. 1, p. 313. https://doi.org/10.1063/1.352141

Hanna M. C., Lu Z. H., Majerfeld A. Very high carbon incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy of heavily doped p-type GaAs. Appl. Phys.Lett., 1991, vol. 58, iss. 2, p. 164. https://doi.org/10.1063/1.104960

Watanabe N., Ito H. Saturation of hole concentration in carbon-doped GaAs grown by metalorganic chemical vapour deposition. J. C. Cryst. Growth, 1997, vol. 182, no 1-2, pp. 30-36. https://doi.org/10.1016/S0022-0248(97)00333-3

Hanna M. C., Lu Z. H., Oh E. G., Mao E., Majerfeld A. Atmospheric pressure organometallic vapor phase epitaxy growth of high-mobility GaAs using trimethylgallium and arsine. Appl. Phys.Lett., 1990, vol. 57, iss. 11, p. 1120. https://doi.org/10.1063/1.103509

Marmalyuk А. А. [Regularities of formation of three-component solid solutions under conditions of MOC-hydride epitaxy] Materialy Elektronnoi Tekhniki, 2005, no 1, pp. 17-23.

Marmalyuk А. А. [Doping of Ga-As under MOCVD conditions] Materialy Elektronnoi Tekhniki, 2004, no 3, pp 14-18.

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии

Анотація

Посилання