Массивы нанопроводов из антимонида индия для перспективных термоэлектрических устройств
Анотація
Теоретически обоснована возможность создания перспективных термоэлектрических преобразователей на основе квантовых проводов. Разработаны и апробированы технологические методы изготовления массивов InSb-нанопроводов, имеющих высокое аспектное отношение диаметра к длине, в модифицированных матрицах нанопористого анодного оксида алюминия. Исследована микроструктура и состав сформированных наноструктур. Представлены результаты электрофизических исследований массивов InSb-нанопроводов в порах анодного оксида алюминия и рассмотрены перспективы их практического применения при изготовлении новых типов генерирующих и охлаждающих устройств.
Посилання
Landis S. Nano-lithography, London UK: ISTE, Hoboken NJ: Wiley, 2011, 345 p.
Demikhovskii V. Ya., Vugal’ter G. A. Fizika kvantovykh nizkorazmernykh struktur [Physics of the quantum low-dimensional structures]. Moscow, Logos, 2000, 248 p. (Rus)
Obukhov I. A. Selfcooling of the quantum wire’s emitter contact. Journal of nano and Microsystem Technique, 2007, vol. 5, pp. 21-23. (Rus)
Obukhov I. A. Influence of external electromagnetic radiation on current voltage characteristics of quantun wire. 20th Int. Crimean Conf. “Microwave & Telecommunication Technology”, Ukraine, Sevastopol, 2010, pp. 833-835. (Rus)
Obukhov I. A. Nonequilibrium effects in one-dimensional quantum devices, Lambert Academic Publishing, 2014, 132 p.
Khan M. I., Penchev M., Jing X. et al. Electrochemical growth of InSb nanowires and report of a single nanowire field effect transistor. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 2008, vol. 3, no 2, pp. 199-202. http://dx.doi.org/10.1166/jno.2008.203
Chen H., Sun X., Lai K. W. C., Meyyappan M., Xi N. Infrared detection using an InSb nanowire. Proceed. Of IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC’09), USA, Traverse City, 2009, pp. 212-216.
Obuhov I. A. Neravnovesnye effekty v elektronnykh priborakh [Non-equilibrium effects in electronic devices]. Sevastopol’, Veber, 2010, 303 p. (Rus)
Yang X., Wang G., Slattery P. et al. Ultrasmall single-crystal indium antimonide nanowires. Crystal Growth and Design, 2010, vol. 10, iss. 10, pp. 2479-2482. http://dx.doi.org/10.1021/cg100376u
Vasil’ev R. B., Dirin D. N. Kvantovye tochki: sintez, svoistva, primenenie [Quantum dots: synthesis, properties and applications]. Moscow, FNM, 2007, 34 p. (Rus)
Khan M. I., Wang X., Bozhilov K. N., Ozkan C. S. Templated fabrication of InSb nanowires for nanoelectronics. Journal of Nanomaterials, 2008, vol. 2008, pp. 1-5. http://dx.doi.org/10.1155/2008/698759
Gorokh G. G, Obukhov I. A., Lozovenko A. A. et al. Template method of forming InSb large aspect ratio quantum nanowires. 23rd Int. Crimean Conf. “Microwave & Telecommunication Technology”, Ukraine, Sevastopol, 2013, рр . 820-823. (Rus)
Gorokh G. G., Obukhov I. A., Poznyak A. A. et al. Synthesis of InSb nanowires in anodic alumina modified matrixes // 22nd Int. Crimean Conf. “Microwave & Telecommunication Technology”, Ukraine, Sevastopol, 2012, рр. 655-658. (Rus)
Gorokh G., Obukhov I., Lozovenko A. et al. [Formation of InSb nanowires in porous anodic alumina]. Proceed. VII International Conference “Fullerenes and nanostructures in condensed matter”, 2013, pp. 377-387. (Rus)
Obukhov I. A. Modelirovanie perenosa zaryada v mezoskopicheskikh strukturakh [Simulation of charge transport in mesoscopic structures]. Sevastopol, Veber, 2005, 226 p. (Rus)
Obukhov I. A., Gorokh G. G. [InSb-based electron devices]. 22nd Int. Crimean Conf. “Microwave & Telecommunication Technology”, Ukraine, Sevastopol, 2012, pp. 653-654. (Rus)
Wood G. C. Oxides and oxide films. USA, New York, Marcell Dekker, 1987, 537 p.
Ganzha S.V., Kukhareva N.V., Grushevskayа S.N., Vvedenskii A.V. [The kinetics of the formation of Cu(I) and Cu(II) oxides on copper in alkaline solutions and the features of their photoelectrochemical behavior. Part II. Photopotential]. Condensed matter and interphase boundaries, 2010, pp. 42-52. (Rus)
Ganzha S.V., Maksimova S.N., Grushevskaya S.N., Vvedenskii A.V. Formation of oxides on copper in alkaline solution and their photoelectrochemical properties. Protection of Metals and Physical Chemistry of Surfaces, 2011, vol. 47, no 2, pp. 191-202.
Grushevskayа S.N., Eliseev D. S., Ganzha S.V., Vvedenskii A.V. [The Properties of Semiconducting Copper Oxides Formed on Cu-Au Alloys]. Condensed matter and interphase boundaries, 2013, vol/ 15, no 3, pp. 253-265. (Rus)
Obuhov I. A. [Features of functioning of quantum devices]. Journal of nano and Microsystem Technique, 2009, no 7, pp. 38-45. (Rus)
Авторське право (c) 2015 Горох Г. Г., Обухов И. А., Лозовенко А. А.
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
