Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
Анотація
Методом высокочастотного магнетронного напыления сформирована тонкая оксидная пленка ZnO на ван-дер-ваальсовой поверхности моноселенида индия. Исследовано влияние вакуумного низкотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические характеристики гетероперехода n-ZnO — p-InSe. Приведены температурные зависимости ВАХ гетероперехода до и после отжига. Установлена область спектральной фоточувствительности гетероструктуры n-ZnO—p-InSe.
Посилання
Ellmer K., Klein A., Rech B. Transparent conductive zinc oxide: Basics and applications in thin film solar cells. Springer, 2008, 446 p.
Song D., Aberle A., Xia I. Optimisation of ZnO:Al films by change of sputter gas pressure for solar cell application. Appl. Surf. Sci., 2003, vol. 195, no. 3, pp. 291-296.
Shtepliuk I., Lashkarev G., Lazorenko V., Ievtushenko A. [Technological and material science aspects of obtaining light-emitting devices based on ZnO]. Physics and chemistry of solid state, 2010, vol. 11, no. 2, pp. 277-287. (Ukr)
Jagadish C., Pearton S.J. (Eds.) Zinc oxide bulk, thin films and nanostructures: processing, properties, and applications. Amsterdam, Elsevier, 2006, 600 p.
Kovalyuk Z.D. [Features of physical properties of layered crystals]. In book: Physical basis of semiconductor material. Kiev, Naukova dumka, 1986, pp. 7-9. (Rus)
Milnes A.G., Feucht D.L. Heterojunction and metalsemiconductor junction. New York, Academic Press, 1972, 408 p.
Katerynchuk V.M., Kudrynskyi Z.R., Khomyak V.V., Orletsky I.G., Netyaga V.V. [Properties of anisotype n-CdO — p-InSe heterojunctions]. Physics and chemistry of solid state, 2013, vol. 14, no. 1, рр. 218-221. (Ukr)
Katerynchuk V.M., Kudrynskyi Z.R., Kovalyuk Z.D. Photopleochroism coefficient and its temperature dinamics in natural oxide — p-InSe heterojunctions. Semiconductors, 2014, vol. 48, iss. 6, pp. 776-778. http://dx.doi.org/10.1134/S1063782614060153.
Brus V.V., Ilashchuk M.I., Khomyak V.V., Kovalyuk Z.D, Maryanchuk P.D., Ulyanytsky K.S. Electrical properties of anisotype heterojunctions n-CdZnTe/p-CdTe. Semiconductors, 2012, vol. 46, iss. 9, pp. 1152-1157. 10.1134/S1063782612090059.
Lampert M.A., Mark P. Current injection in solids. New York, Academic Press. 1970, 351 p.
Авторське право (c) 2015 Ковалюк З. Д., Катеринчук В. Н., Кудринский З. Р., Кушнир Б. В., Нетяга В. В., Хомяк В. В.
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
