Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства

  • В. П. Махний Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
  • И. И. Герман Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
  • Г. И. Бодюл Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
  • И. М. Сенко Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2016.6.36
Ключові слова: селенид цинка, зеркальная и матовая поверхности, квантово-размерный эффект, люминесценция, пропускание

Анотація

В настоящей работе исследовано влияние модификации поверхности подложек ZnSe:Te на их спе­к­т­ры люминесценции и оптического пропускания. Путем травления подложек ZnSe:Te в ра­с­т­во­рах CrO3:HCl=2:1 и H2SO4:H2O2=3:1 были получены образцы с зеркальной и матовой по­вер­х­но­с­тя­ми соответственно. Установлено, что для образцов с матовой поверхностью ха­ра­к­те­р­но су­ще­с­т­ве­н­ное увеличение эффективности голубой полосы люминесценции, а так­же появление из­лу­че­ния в той области энергии фотонов, где она больше ширины за­пре­ще­н­ной зоны се­ле­ни­да цинка.

Посилання

Kulchitskiy N. A., Naymov A. V. [Modern optoelectronic devices on zinc selenide basis]. Nanoinzheneriya, 2014, no 11, pp. 19-26. (Rus)

Fizika soedinenii A2B6 [Physics of A2B6 compounds]. Ed. by Georgobiani А. N., Sheikhman M.K., Мoscow, Mir, 1986. (Rus)

Makhniy V. P. [UV photodetectors with Shottki barier on zinc selenide basis]. Zhurnal tekhnicheskoi fiziki, 1998, vol. 68, no 9, pp. 123-125. (Rus)

Dmitruk M. L., Barlas T. R., Serdiuk V. O. [А3В5 porous semiconductors: Electrochemical pore formation technology, structureand optical properties (review)] Fizika I khimiya tverdogo tila, 2010, vol. 11, no 5, pp. 13-33. (Ukr)

Rujukov V. D. Stsintilyatsionnye kristally poluprovodnikovykh soedinenii АIIBVI. Poluchenie, svoistva, primenenie [Scintillation crystals of АIIBVI semiconductor junctions. Obtaining, properties and usage]. Мoscow, NIITECHIМ, 1989, 125 p. (Rus)

Makhniy V. P., Herman I. I., Chernuh E. I. [Influence of processing on the surface parameters of single-crystal substrates of cadmium telluride]. Poverkhnost`. Rentgenovskie, sinkhrotronnye i neitronnye issledovaniya, 2013, no 6, pp. 65-67. (Rus)

Averhiev N. S., Casanova L. P, Lebedev E. A, Rud Yu. V, Smirnov A. N, Smirnova N. N. [Optical and electrical properties of porous gallium arsenide] Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 2000, vol 34, no 6, pp. 757-761. (Rus)

Опубліковано
2016-12-27
Номер
№ 6 (2016): Технологія та конструювання в електронній апаратурі
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2016 В. П. Махний, И. И. Герман, Г. И. Бодюл, И. М. Сенко

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.