CCD photomatrixes with electron multiplication

В. П. Рева; С. В. Коринець; О. Г. Голенков; С. В. Сапон; A. M. Торчинський; В. В. Забудський; Ф. Ф. Сизов

doi:10.15222/TKEA2017.1-2.33

В. П. Рева Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна
С. В. Коринець Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна
О. Г. Голенков Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна https://orcid.org/0000-0001-8009-7161
С. В. Сапон Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна
A. M. Торчинський Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна
В. В. Забудський Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна https://orcid.org/0000-0003-2033-8730
Ф. Ф. Сизов Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна

DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2017.1-2.33

Ключові слова: ПЗЗ-фотоматриці, електронне множення, ближній ІЧ-діапазон, видиме випромінювання

Анотація

Описано принципи роботи фотоматриць видимого випромінювання та ближнього інфрачервоного діапазону, спроєктованих на основі приладів із зарядовим зв'язком з електронним множенням (ПЗС-ЕУ), та обговорено архітектуру побудови таких матриць. Наведено короткий опис технології виготовлення фотоматриць ПЗС-ЕУ, а також деякі параметри спроєктованих та виготовлених експериментальних зразків фотоматриць формату 640×512.

Посилання

Boyle W.S., Smith G.E. Charge-сoupled semiconductor devices. Bell Systems Techn. J., 1970, vol. 49, iss. 4, pp. 587-593. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1970.tb01790.x

Janesick J.R. Scientific charge-coupled devices. Bellingham, WA, SPIE Press, 2001, 907 p.

Madan S.K., Bhaumik B., Vasi J.M. Experimental observation of avalanche multiplication in charge-coupled devices. IEEE Transactions on Electron Devices, 1983, vol. 30, iss. 6, pp. 694–699. http://dx.doi.org/10.1109/TED.1983.21191

Hynecek J. CCM-A new low-noise charge carrier multiplier suitable for detection of charge in small pixel CCD image sensors. IEEE Trans. Electron Devices, 1992, vol. 39, iss. 8, pp. 1972–1975. http://dx.doi.org/10.1109/16.144694

Pat. US 20010031517A1. Process for fabrication of splitgate virtual phase charge coupled devices. Jaroslav Hynecek. 6. Pool P.J., Morris D.G., Burt D.J., Bell R., Holland A.D. et al. Application of electron multiplying CCD technology in space instrumentation. Proc. SPIE, 2005, vol. 5902, #59020А. http://dx.doi.org/10.1117/12.621627

O’Grady A.A. comparison of EMCCD, CCD and emerging technologies optimized for low light spectroscopy applications. Proc. SPIE, 2006, vol. 6093, #60930S. http://dx.doi.org/10.1117/12.644752

Zhang W.W., Chen Q. Optimum signal-to-noise ratio performance of electron multiplying charge coupled devices. International Journal of Electrical, Computer, Energetic, Electronic and Communication Engineering, 2009, vol. 3, no.6, pp. 1285-1289. International Science Index: scholar. waset.org/1999.5/2103

Daigle O., Djazovski O., Laurin D., Doyon R., Artigau Е. Characterization results of EMCCDs for extreme low-light imaging. Proc. SPIE, 2012, vol. 8453, # 845303. http://dx.doi.org/10.1117/12.926385

Mackay C., Weller K., Suess F. Photon counting EMCCDs: New opportunities for high time resolution astrophysics. Proc. SPIE, 2012, vol. 8453, # 845302. http://dx.doi.org/10.1117/12.924642

Rauscher B.J., Bolcar M.R., Clampin M., Domagal-Goldman S.D., McElwain M.W. et al. ATLAST detector needs for direct spectroscopic biosignature characterization in the visible and near-IR. Proc. SPIE, 2015, vol. 9602, # 96020D. http://dx.doi.org/10.1117/12.2186554

Hynecek J. Impactron - a new solid state image intensifier, IEEE Transactions on Electron Devices, 2001, vol. 48, iss. 10, pp. 2238–2241. http://dx.doi.org/10.1109/16.954460

ПЗЗ-фотоматриці з електронним множенням

Анотація

Посилання