Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
Анотація
Досліджено електричні та фотоелектричні властивості гетероструктур MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe, отриманих методом магнетронного осадження тонких плівок MoN та ITО на підкладки CdTe з різним типом провідності. Встановлено, що в обох випадках домінуючим механізмом струмопереносу при прямих зміщеннях є тунельно-рекомбінаційний. Показано, що кращі фотоелектричні параметри має гетероструктура MoN/p-CdTe, а саме: напруга холостого ходу Voc = 0,4 В, струм короткого замикання Isc = 24,6 мА/см2 за інтенсивності освітлення 80 мВт/см2.
Посилання
Green M.A., Hishikawa Y., Warta W. et al. Solar cell efficiency tables (version 50). Progress in Photovoltaics, 2017, vol. 25, iss. 7, pp. 668–676. https://doi.org/10.1002/pip.2909
Armani N., Ferrari C., Salviati G. et al. Defect-induced luminescence in high- resistivity high-purity undoped CdTe crystals. J. Phys.: Condens. Matter, 2002, vol. 14, iss. 48, pp. 13203–13209. https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/48/369
Krustoka J., Collanb H., Hjeltb K. et al. Photoluminescence from deep acceptor-deep donor complexes in CdTe. J. Luminesc, 1997, vol. 72–74, pр.103–105. https://doi.org/10.1016/S0022-2313(97)00061-6
Alferov Zh. I. The history and future of semiconductor heterostructures. Semiconductors 1998, vol. 32, iss. 1, pp. 1–14. https://doi.org/10.1134/1.1187350
Jui-Chang C., Shuo-Lun T., Mao-Chieh C. Sputter-deposited Mo and reactively sputter-deposited Mo-N films as barrier layers against Cu diffusion. Thin Solid Films, 1999, vol. 346, iss. 1–2, pp. 299–306. https://doi.org/10.1016/S0040-6090(98)01728-3
Hallett L., Charaev I., Agarwal A. et al. Superconducting MoN thin films prepared by DC reactive magnetron sputtering for nanowire single-photon detectors. Superconductor Science and Technology, 2021, vol. 34, 035012. https://doi.org/10.1088/1361-6668/abda5f
Solovan M.M., Maryanchuk P.D. Electrical and photoelectrical properties of MoN/n-Si surface-barrier structures. Radio physics and electronics, 2019, vol. 24, iss. 2, pp. 49–56. https://doi.org/10.15407/rej2019.02.049
Granqvist C.G., Hultaker A. Transparent and conducting ITO films: new developments and applications. Thin Solid Films, 2002, vol. 411, рр. 1–5. https://doi.org/10.1016/S0040-6090(02)00163-3.
Solovan M.N., Mostovyi A.I., Brus V.V. et al. Effect of surface treatment on the quality of ohmic contacts to single-crystal p-CdTe. Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2017, vol. 11, no. 1, pp. 276–279. https://doi.org/10.1134/S1027451017010347
Solovan M.M., Gavaleshko N.M., Brus V.V. et al. Fabrication and investigation of photosensitive MoOx/n-CdTe heterojunctions. Semiconductor Science and Technology , 2016, vol. 31, no. 10, 105006. https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/10/105006
Авторське право (c) 2021 Тарас Ковалюк, Михайло Солован, Павло Мар’янчук
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
