Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
Анотація
Експериментально досліджено вплив температури та радіації на характеристики генераторів на основі одноперехідного транзистора (ОПТ). Для підсилення залежності частоти від температури в коло емітера ОПТ та бази вводяться польові транзистори. Максимальна чутливість з прямою залежністю частоти від температури та максимальна компенсація дії радіації на вихідний сигнал досягається при включенні в коло емітера ОПТ польового МДН-транзистора, а в коло бази — польового транзистора з p-n-переходом. Встановлено також граничні величини потоків різних випромінювань, вище яких генератор перестає працювати.
Посилання
Vigleb G. Datchiki [Sensors]. М., Mir, 1989, 196 p. (Rus)
Sharapov V.M., Polishchuk E.S., Ishanin G.G. Datchiki : spravochnoye posobiye. [Sensors : reference guide]. Cherkasy, Brama-Ukraine. 2008, 1072 p. (Rus)
Verbyts'kyy V.H., Vorobiyenko P.P., Kurmashev Sh.D. et al. Rozrobka vysokoefektyvnykh tekhnolohiy optoelektroniky [Development of highly efficient technologies of optoelectronics]. Kyiv, Logos, 2009, 301 p. (Ukr)
Chen Yx., Liu J., Xiao K. et al. Unijunction transistor on silicon-on-insulator substrate. 2020 IEEE 15th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT), Kunming, China, 2020, pp. 1 - 3. https://doi.org/10.1109/ICSICT49897.2020.9278352
Vikulin I.M., Vikulina L.F., Gorbachev V. E., Mikhailov N. S. Temperature stable radiation-resistant current reference generator based on field-effect transistors. Radioelectronics and Communications Systems. 2021, vol. 64, no. 6, pp. 310 - 318. https://doi.org/10.3103/S0735272721060042
Mokrits'kyy V.A., Maslov O.V. Fizyko-tekhnychni osnovy mikroelektroniky. T. 1. [Physical and technical foundations of microelectronics, vol. 1]. Odesa, Ecology, 2018, 204 p. (Ukr)
Kulakov V.M., Ladygin Ye. A., Shakhovtsev V. I. et al. Deystviye pronikayushchey radiatsii na izdeliya elektronnoy tekhniki [The effect of penetrating radiation on electronic products]. M: Sov. Radio, 1980, 234 p. (Rus)
Horbachova H.V., Markolenko P.Yu. [The effect of ionizing radiation on frequency temperature converters]. IX International Scientific and Practical Conference “Infocommunications - Present and Future”. Ukraine, Odesa, 2019, pp. 83 - 86. (Ukr)
Vikulin I.M., Gorbachev V.E., Nazarenko A.A. Radiation-sensitive detector based on field-effect transistors. Radioelectronics and Communications Systems, 2017, vol. 60, no. 9, pp. 515 - 520 401 - 404. https://doi.org/10.3103/S0735272717090035 (Ukr)
Авторське право (c) 2023 Іван Вікулін, Лідія Вікуліна, Павло Марколенко, Олександр Назаренко
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
