Утворення дефектів на поверхні Si-підкладок в процесі термічного напилення золота
Анотація
При виготовленні кремнієвих фотоприймачів помічено деградацію їхніх параметрів після етапу формування контактних площадок методом термічного напилення золота. Під час дослідження зразків в селективному травнику виявлено комплекси структурних дефектів, які сприяли погіршенню параметрів, зокрема зростанню темнових струмів, а іноді й виникненню пробою p–n-переходу. Дослідження причин появи цих дефектів показало, що вони утворюються внаслідок локального плавлення кремнію при потраплянні на нього "крапель" золота із температурою, більшою за температуру плавлення кремнію, внаслідок кипіння у випарнику. Встановлено, що використання дроту супроводжується інтенсивнішою появою "крапель" золота, ніж при використанні корольків.
Посилання
Kukurudzyak M.S., Kukurudzyak A.M. Defect formation on the surface of silicon substrates during thermal sputtering of gold. Proc. of the 24th ISPC “Modern Information and Electronic Technologies”, 2023, Ukraine, Odesa, pp. 101–102. [Ukr]
Bell S. J., Baker M. A., Duarte D. D. et al. Comparison of the surfaces and interfaces formed for sputter and electroless deposited gold contacts on CdZnTe. Applied Surface Science, 2018, vol. 427, part A, pp. 1257–1270. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.08.077
Yu P., Gao P., Jiang B. et al. Effects of electrode fabrication on electrical properties of CdMgTe room temperature radiation detectors. Materials Science in Semiconductor Processing, 2023, vol. 153, article no. 107178. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.107178
Zheng Q., Dierre F., Franc J. et al. Investigation of generation of defects due to metallization on CdZnTe detectors. Journal of Physics D: Applied Physics, 2012, vol. 45, no. 17, article no. 175102. https://doi.org/10.1088/0022-3727/45/17/175102
Gorskyi P. V. Typical mechanisms of degradation of thermoelectric materials and ways of reducing their influence on the reliability of thermoelectric modules. Solid State Physics and Chemistry, 2022, vol. 23, no. 3, рр. 505–516. https://doi.org/10.15330/pcss.23.3.505-516 [Ukr]
Kukurudziak M. S., Dobrovolskyi Y. G. Silicon p–i–n photodiode with increased pulse sensitivity. Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2021, no. 1–2, pp. 61–67. http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2021.1-2.61 [Ukr]
Kukurudziak M. S., Maistruk E. V. Influence of chromium sublayer on silicon P-I-N photodiodes responsivity. Proc. SPIE 12126, Fifteenth International Conference on Correlation Optics, Ukraine, Chernivtsi, 2021, 121261V. http://dx.doi.org/10.1117/12.2616170
Abdullin F. A., Pautkin V. E., Pecherskaya E. A. et al. Application of the selective silicon etching methods for estimation of the wafers quality in the micromechanical sensors. In 2019 International Seminar on Electron Devices Design and Production (SED), Prague, Czech Republic, 2019, pp. 1–4. http://dx.doi.org/10.1109/SED.2019.8798467
Setera B., Christou A. Challenges of overcoming defects in wide bandgap semiconductor power electronics. Electronics, 2022, vol. 11, iss. 1, article no. 10. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11010010
Авторське право (c) 2023 Микола Кукурудзяк, Анастасія Кукурудзяк
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
