|
При цитировании статей из журнала "ТКЭА" его описание на латинице должно быть представлено транслитерацией, а именно: "Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature".
|
|
"ТКЭА" № 4'2010
- Электронные средства: исследования, разработки
-
Моделирование электрических схем защиты с использованием силовых лавинных диодов.
Кравчина В. В., Нагорная Н. Н.
-
Малогабаритный цифровой частотомер с высокой разрешающей способностью.
Криваль И. И., Скрипнюк А. И., Проценко В. А., Марьенко А. В.
-
Контактные соединения в электронных печатных узлах, выполненные методом прокола фольги.
Ефименко А. А.
-
Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов.
Рева В. П., Голенков А. Г., Забудский В. В., Коринец С. В, Цибрий З. Ф., Гуменюк-Сычевская Ж. В., Бунчук С. Г., Апатская М. В., Лысюк И. А., Смолий М. И.
-
Метод преобразования обычной разводки печатных плат в полигональную.
Муров С. Ю.
-
Логические методы расчета надежности.
Левин В. И.
- Микропроцессорные устройства и системы
-
Микропроцессоры звездообразной структуры с расширенными функциональными возможностями.
Синегуб Н. И., Ситников В. С.
- Функциональная микро- и наноэлектроника
-
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния.
Попов В. М., Клименко А. С., Поканевич А. П., Шустов Ю. М., Гаврилюк И. И., Панин А. И.
- Технологические процессы и оборудование
-
Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат.
Лесюк Р. И., Бобицкий Я. В., Котлярчук Б. К., Иллек В.
- Материалы электроники
-
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs.
Горев Н. Б., Коджеспирова И. Ф., Привалов Е. Н.
- К истории науки и техники
-
Становление и развитие Института физики полупроводников
им. В. Е. Лашкарёва НАН Украины (к пятидесятилетию создания).
Мачулин В. Ф.
|
